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平均销售单价续扬带动,DRAM 第一季营收季增 5.4% 再创新高


        根据 TrendForce 存储器储存研究(DRAMeXchange)调查显示,2018 年第一季的 DRAM 价格走势,除了绘图用存储器(graphic DRAM)受惠于基期较低以及虚拟挖矿(cryptocurrency)需求的增温,带动价格有 15% 显著上涨外,其余各应用别的存储器在第一季约有 3-6% 不等的季涨幅,今年第一季全球 DRAM 总营收较 2017 年第四季成长 5.4%,再创新高。


        DRAMeXchange 资深研究协理吴雅婷指出,观察第二季价格走势,PC-OEM 厂已陆续议定第二季合约价格。就一线大厂订价来看,均价已来到 34 美元,较上一季平均涨幅约达 3%。从市场面来观察,由于服务器需求较佳、毛利高、获利空间较大,一线 DRAM 大厂持续将产能转往服务器存储器,加上全球 DRAM 产能将于年底才会逐渐开出,使得标准型记忆仍维持价格上扬格局。


        观察全球 DRAM 大厂营收表现,三星依然稳坐 DRAM 产业的龙头,第一季营收再度创下历史新高,达 103.6 亿美元,较上季成长 2.9%;SK 海力士第一季营收达 64.3 亿美元,较前季成长 2.2%,两大韩厂第一季的出货量受到手机需求疲弱影响皆略有下滑,营收市占率分别为 44.9% 与 27.9%,合计约 73%,较前一季微幅下降。


        美光集团仍旧维持第三,不过美光在报价上相对积极,今年上半年持续扮演市场中的价格领导者(price leader),价格上涨幅度高于其他两家韩厂,第一季价格上扬幅度超过 10%,带动营收达 52.1 亿美元,季增 14.3%,市占率较前一季提升约 2 个百分点,来到 22.6%。


        从营益率表现来看,三星第一季营业利益率再创历史新高,由 64% 提升至 69%;SK 海力士亦从第四季的 59% 再提升至 61%,两家韩厂营业利益率双双突破 6 成;美光则从 53% 再度拉升至 58%。展望第二季,受惠于 DRAM 价格持续上涨与制程转进强化成本效益,三大厂在营收表现上可望再创新猷,各家获利率亦可望进一步提升。不过,以三星为例,其营业利益率高达 69%,意味着毛利率已突破 8 成水位,显示 DRAM 原厂获利能力已远高于买方能接受的程度,报价上扬幅度可能将趋缓。


        观察技术面,三星今年的目标除了维持 18nm 制程高产出占比(约 5-6 成),即将投入的平泽厂 2 楼 DRAM 产能,也将往下一代 16nm 制程转进。至于 SK 海力士,已于去年底开始导入 18nm 的生产,然而进入 1Xnm 世代制程难度高、转换不易,SK 海力士目前仍致力于提升其 18nm 的良率,其扩厂计划则维持不变,中国无锡新建的第二座 12 寸厂仍照进度今年底前完工,最快要到 2019 上半年才会开始贡献产出。而美光方面,中国台湾美光存储器(原瑞晶)17nm 已完成 100% 转换,中国台湾美光晶圆科技(原华亚科)则于第二季开始进行 20nm 往 17nm 的转换,预计今年底将可望有半数产能转往 17nm 生产。


        台系厂商部分,南亚科受到转进 20nm 带来明显的位成长,加上价格持续走扬,第一季营收较前一季大幅成长 15.1%。20nm 的成本效益更带动营业利益率提升至 44.3%,较上季成长 5 个百分点。展望未来,南亚科在 20nm 良率将继续向上,透过产品组合持续优化的带动,获利表现将可望进一步提升。


        力晶科技方面,除了替晶豪科、爱普等 IC 设计业者代工生意成长外,力晶本身 DRAM 事业的产品报价亦上扬,带动 DRAM 营收较上季成长 8.2%;华邦方面 DRAM 营收则约略持平,季成长 1.2%,主要为利基型存储器报价成长幅度较小所致。


出自:TechNews科技新报

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