高通骁龙6系芯片下半年升级为10nm工艺

在近日的MWC 2018世界移动通信大会上，联发科正式的发布了Helio P60芯片，这是基于台积电12nmFinFET工艺所打造，采用了四颗Cortex A73大核+4颗Cortex A53小核组成，最高CPU频率为2.0GHz，GPU为Mali-G72 MP3，频率为800MHz。

根据联发科Helio P60芯片数据曝光，这颗芯片定位中端，很有可能是专为抗衡高通骁龙6系芯片而来。不过日前根据网友草透露：2018年下半年高通骁龙6系以上芯片全线升级为10nm工艺制程，并开始向4系渗透，对联发科形成全面包围之势。

由此看来，联发科Helio P60想要打击到高通的芯片地位好像还有很长一段路要走。假如高通6系芯片升级到10nm工艺制程，可不仅仅是性能的大幅升级，功耗、发热控制等方面也会全面升级，届时很有可能是以联发科惨败收场。

根据之前国外科技媒体爆料，高通骁龙670将会采用六核心设计，并且是基于10nm制程工艺制造，两个高性能大核采用Kryo 300 Gold定制版架构，四个低功耗小核心为Kryo 300 Silver架构，这两种架构是高通分别在ARM的A75、A55架构的基础上自研的新架构。  

出自：中关村在线